[发明专利]SiCN膜的成膜方法有效
| 申请号： | 201510290742.7 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105316649B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 清水亮;宫原孝广;白井昌志;贞池慎一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;宇部兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/36 | 分类号： | C23C16/36 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有前述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给前述Si原料气体的工序之后，向前述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序；作为前述氮化剂使用氮与碳的化合物。 | ||
| 搜索关键词： | sicn 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiCN膜的成膜方法，其为在被处理体的被处理面上形成SiCN膜的SiCN膜的成膜方法，其具备：向容纳有所述被处理体的处理室内供给包含Si原料的Si原料气体的工序；和在供给所述Si原料气体的工序之后向所述处理室内供给包含氮化剂的气体的工序，作为所述氮化剂，使用以下述通式(1)表示的氮与碳的化合物：![]()
其中，所述通式(1)中，R1、R2、R3为氢原子或任选具有取代基的碳原子数1～8的直链状或支链状的烷基。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
