[发明专利]一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法有效
| 申请号： | 201510292293.X | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN104934466B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 成建兵;刘雪松;俞露露;陈旭东;郭厚东;滕国兵 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210023 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性；另外一方面也可以减小器件的横向尺寸面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阳极 抬高 ligbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种阳极抬高的LIGBT器件，其特征在于：在硅衬底(1)上具有埋氧层(2)；埋氧层上具有漂移区(3)；漂移区一侧为阴极区，一侧为阳极区；在P体区(4)中依次为阴极重掺杂P+区(5)、阴极重掺杂N+区(6)；阳极P+区(8)下轻掺杂N缓冲区(7)，阳极重掺杂N+区(11)抬高，抬高部分(10)高度为d，阳极P+区(8)和阳极重掺杂N+区(11)之间用二氧化硅介质(9)隔离；器件上部依次为阴极(12)、栅极(13)、第一阳极(15)、第二阳极(16)；阴极重掺杂N+区(6)、漂移区(3)之间，P体区(4)的上端为沟道(17)；栅极(13)横跨阴极重掺杂N+区(6)、沟道(17)、漂移区(3)上方，中间有较薄的氧化层(14)隔离；所述硅衬底(1)、漂移区(3)、阴极重掺杂N+区(6)、N缓冲区(7)、阳极重掺杂N+区(11)为N型；阴极P体区(4)、阴极重掺杂P+区(5)、阳极重掺杂P+区(8)为P型。
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