[发明专利]三维半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201510292330.7 | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN105321952B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 延国贤;金东宇;黄棋铉;金东谦;刘东哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11578;H01L27/11575;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种三维半导体存储装置及其制造方法，三维半导体存储装置包括：外围电路结构，位于基底上；水平有源层，位于外围电路结构上；堆叠件，设置在水平有源层上以包括多个电极；竖直结构，竖直地贯穿堆叠件；共源极区，位于堆叠件中的堆叠件之间并且在水平有源层中；以及提取区，在水平有源层中。水平有源层包括顺序地堆叠在外围电路结构上的第一有源半导体层、第二有源半导体层和第三有源半导体层。第一有源半导体层和第三有源半导体层分别掺杂有高杂质浓度和低杂质浓度，第二有源半导体层包括杂质扩散抑制材料。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体存储装置，所述三维半导体存储装置包括：基底；外围电路结构，位于基底上；水平有源层，位于外围电路结构上，水平有源层包括顺序地堆叠在基底上的第一有源半导体层、第二有源半导体层和第三有源半导体层，第一有源半导体层掺杂有p型杂质以具有第一浓度，第三有源半导体层掺杂有p型杂质以具有比第一浓度低的第二浓度，或者第三有源半导体层处于未掺杂状态，第二有源半导体层包括杂质扩散抑制材料；多个堆叠件，平行于第一方向设置在水平有源层上，每个堆叠件包括竖直地堆叠在水平有源层上的多个电极；竖直结构，贯穿堆叠件；以及接触件，分别电连接到外围电路结构和第一有源半导体层。
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