[发明专利]一种(Sr1‑xLnx)2TiO4系列致密导电氧化物陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201510292636.2 | 申请日: | 2015-05-27 |
公开(公告)号: | CN104926298B | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
发明(设计)人: | 李亮亮;刘全桢;孙立富;李义鹏;高鑫;张云朋;宫宏;孟鹤 | 申请(专利权)人: | 中国石油化工股份有限公司青岛安全工程研究院;中国石油化工股份有限公司 |
主分类号: | C04B35/47 | 分类号: | C04B35/47;C04B35/626 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人: | 张红凤 |
地址: | 266071 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种致密导电氧化物陶瓷及其制备方法,该陶瓷的分子式为(Sr1‑xLnx)2TiO4,其中,X为0‑0.08,Ln为镧系元素,所述陶瓷的致密度大于98%,室温电阻率为10‑5Ω·m量级;制备该陶瓷的所需原料其选用硝酸锶、镧系硝酸盐和硫酸钛提供金属离子,选用草酸作为沉淀剂,其首先通过液相共沉淀法合成前驱体沉淀物,然后将前驱体沉淀物利用放电等离子烧结快速成型,制备得到的氧化物陶瓷可导电,满足国标要求。本发明制备方法得到的致密(Sr1‑xLnx)2TiO4陶瓷为单相,且结晶性能好。 | ||
搜索关键词: | 一种 sr1 xlnx tio4 系列 致密 导电 氧化物 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种致密导电氧化物陶瓷的制备方法,该致密导电氧化物陶瓷的分子式为(Sr1‑xLnx)2TiO4,其中,0<X≤0.08,Ln为镧系元素,所述陶瓷的致密度大于98%,室温电阻率为10‑5Ω·m量级;所述致密导电氧化物陶瓷所需原料为:选用硝酸锶、镧系硝酸盐和硫酸钛为原料提供金属离子,选用草酸作为沉淀剂;制备方法依次包括以下步骤:a、分别称取一定量的硝酸锶、镧系硝酸盐,并依次将二者加入到去离子水中,滴加适量的稀硝酸使溶液保持酸性,充分搅拌至溶液澄清;b、称取适量的硫酸钛,将其加入至步骤a所得澄清溶液中,磁力搅拌10‑30min使二者均匀混合;c、向步骤b所得混合后的溶液中加入草酸,滴加草酸的同时保持搅拌,待沉淀完全后得前驱体沉淀物,将所述前驱体沉淀物进行离心分离、干燥得沉淀物;d、将步骤c干燥后的沉淀物放入马弗炉煅烧,得陶瓷母粉;e、将所得陶瓷母粉放入SPS石墨磨具中,利用SPS烧结炉烧结制得陶瓷块体,即得致密导电氧化物陶瓷;步骤c中,混合后的溶液中金属离子与草酸的摩尔比例为1:3‑10,离心分离的转速为10000‑12000r/min;步骤d中,煅烧温度为600‑900℃,保温0.5‑2h;步骤e中,SPS烧结炉烧结过程中,升温速率控制在50‑150℃/min,保温温度为1350‑1450℃,保温时间2‑25min,压力10‑13KN,选用高纯氩气保护。
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