[发明专利]一种软磁性FeCoNiMB高熵块体非晶合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510293400.0 申请日: 2015-06-01
公开(公告)号: CN104878324B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 张伟;齐天龙;李艳辉 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C22C45/00 分类号: C22C45/00;C22C30/00;C22C1/03;H01F1/153
代理公司: 大连理工大学专利中心21200 代理人: 关慧贞,梅洪玉
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 提供了一种具有软磁性的FeCoNiMB高熵块体非晶合金,M代表P、C和Si中的至少1种元素,典型成分为Fe25Co25Ni25Si7.5B17.5、Fe25Co25Ni25Si10B15、Fe25Co25Ni25P5C4Si6B10、Fe25Co25Ni25P12C8B5和Fe25Co25Ni25P10C10B5。合金的饱和磁化强度为0.80~0.87T,矫顽力为1.1~3.4A/m,1kHz下有效磁导率为12500~19800。同时提供一种软磁性高熵块体非晶合金的制备方法采用电弧熔炼或感应熔炼制备母合金锭;分别采用单辊甩带和铜模吸铸制备非晶条带和棒材。本发明填补了制备软磁性高熵块体非晶合金的技术空白,提供的合金具有作为软磁性功能器件的应用前景。
搜索关键词: 一种 磁性 feconimb 块体 合金 及其 制备 方法
【主权项】:
一种软磁性FeCoNiMB高熵块体非晶合金,M代表P、C、Si中的至少1种元素,其中Fe含量为20~30at.%,Co含量为20~30at.%,Ni含量为20~30at.%,M+B总含量为20~30at.%;当M中含有Si时,P含量为0~5at.%,C含量为0~5at.%,Si含量为5~10at.%,B含量为10~20at.%;当M不含Si时,P含量为5~12.5at.%,C含量为5~12.5at.%,B含量为5~12.5at.%。
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