[发明专利]一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法在审
| 申请号： | 201510294228.0 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN105040107A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 杨晓朋;徐翔;曹丙强 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C30B30/02 | 分类号： | C30B30/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法。方法如下：将基片置于匀强电场中；调节电场方向，使基片表面与电场负方向成 α角度，0≤α≤360o，电场强度1×10-6 V/nm≤ E≤5V/nm；在此外加静电场条件下，在基片上进行半导体材料的掺杂生长实验。本发明在半导体材料的生长过程中引入匀强电场的辅助作用，施加严格控制的外加静电场对半导体材料的晶核取向、形核密度、形貌产生有效影响，对杂质原子在半导体材料中的缺陷形成能进行调控，能够有效提高杂质固溶度和替位杂质比率，提高掺杂半导体材料的晶体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外加 静电场 辅助 半导体材料 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法，其特征在于：1）将基片置于匀强电场中；2）调节电场方向，使基片表面与电场负方向成 α角度；调节电场强度为E；在此外加静电场条件下，在基片上进行半导体材料的掺杂生长实验。
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