[发明专利]一种氧化亚铜基异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种氧化亚铜基异质结太阳能电池，其为在衬底上自下而上依次有铬金复合电极、氧化亚铜层、ZnOS缓冲层、ZnOAl层和铝栅电极。其制备方法是在衬底上制备铬金复合电极，再采用电化学沉积法生长氧化亚铜层，再在氧化亚铜层上依次沉积生长ZnOS缓冲层和 ZnOAl层；最后在ZnOAl层上制作铝栅电极。本发明采用ZnOS作为缓冲层，可有效阻挡电子和空穴的界面复合，减小PN结反向饱和电流，大大提高载流子的分离和收集效率，增大太阳能电池的开路电压，从而提高太阳能电池的光电转换效率。本发明的太阳电池成本较低、制备工艺简单，可大规模应用于工业生产中，有广阔的应用前景。

主权项

一种氧化亚铜基异质结太阳能电池的制备方法，所述的太阳能电池是在衬底(1)上自下而上依次有铬金复合电极 (2)、氧化亚铜层(3)、ZnO:S缓冲层(4)、ZnO:Al层(5)和铝栅电极(6)，所述的ZnO:S缓冲层(4)厚度为10nm，硫的原子百分比为9%，所述的ZnO:Al层(5)载流子浓度大于1021 cm‑3，方块电阻小于50Ω/□；其特征在于，其制备方法包括如下步骤：1）在洁净的衬底(1)上依次蒸镀铬、金制备铬金复合电极(2)；2）在上述铬金复合电极(2)表面采用电化学沉积法生长氧化亚铜层(3)，并在铬金复合电极(2)表面预留用于电池测试的面积；3）在上述氧化亚铜层(3)表面依次沉积生长ZnO:S缓冲层(4)和 ZnO:Al层(5)；4）在ZnO:Al层(5)表面制作铝栅电极(6)，获得氧化亚铜基异质结太阳能电池。