[发明专利]电阻率分布均匀的掺镓晶体硅及其制备方法在审
| 申请号： | 201510295534.6 | 申请日： | 2015-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN104846437A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 张帅;朱常任;郭晓琛;王双丽 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C30B11/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法，包括以下步骤：在坩埚底部均匀铺设一层掺镓硅料；在所述掺镓硅料的上方设置含有镓掺杂剂的多晶硅料；控制所述坩埚内的温度使所述多晶硅料、掺镓硅料自上至下逐步熔化，并在所述掺镓硅料部分熔化时使熔化形成的硅液向上结晶并最终生成晶体硅锭。上述电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法中，在坩埚底部铺设有掺镓硅料，保证底部长晶过程中持续有镓通过扩散进入底部晶体，从而提高了硅锭底部掺杂浓度，这样可有效对硅锭底部电阻进行控制，缩小硅锭电阻率在垂直方向上的分布范围，提高电阻率在0.8～3Ω.cm的合格硅锭的比例。此外，还出一种由上述方法制备的掺镓晶体硅。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 分布 均匀 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻率分布均匀的掺镓晶体硅的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在坩埚底部均匀铺设一层掺镓硅料；在所述掺镓硅料的上方设置含有镓掺杂剂的多晶硅料；控制所述坩埚内的温度使所述多晶硅料、掺镓硅料自上至下逐步熔化，并在所述掺镓硅料部分熔化时使熔化形成的硅液向上结晶并最终生成晶体硅锭。
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