[发明专利]一种新型高亮PSS的制备方法

摘要

本发明提供一种新型高亮PSS的制备方法，其制备方法包括以下步骤步骤(1)首先提供一表面平整的基底；步骤(2)使用清洗剂将基底清洗干净并使用去离子水甩干；步骤(3)将清洗干净的基底进行夹心DBR膜层蒸镀；步骤(4)利用光刻技术在上述DBR层上制备出图形化的光刻胶；步骤(5)利用ICP刻蚀技术将制备出的图形化光刻胶转移至DBR层,将图形化光刻胶刻蚀刻蚀完成后，转移至DBR层的图形成周期性锥状结构；步骤(6)利用清洗剂将残留物去除；步骤(7)将上述清洗完成的图形化沉积进行AlN或GaN薄膜制备。本发明可以防止在图形制备过程中对第一层DBR产生破坏，提高芯片出光反射效率低，同时可有效降低外延中的位错密度，提高芯片出光效率。

主权项

一种新型高亮PSS的制备方法，其特征在于：其制备方法包括以下步骤：步骤(1)首先提供一表面平整的基底；步骤(2)使用清洗剂将基底清洗干净并使用去离子水甩干；步骤(3)将清洗干净的基底进行夹心DBR膜层蒸镀；步骤(4)利用光刻技术在上述DBR层上制备出图形化的光刻胶；步骤(5)利用ICP刻蚀技术将制备出的图形化光刻胶转移至DBR层,将图形化光刻胶刻蚀，刻蚀完成后，转移至DBR层的图形成周期性锥状结构；步骤(6)利用清洗剂将残留物去除；步骤(7)将上述清洗完成的图形化沉积进行AlN或GaN薄膜制备；DBR材料为SiO2与Ti3O5；DBR反射率要求反射率＞90％，反射率波段为300nm‑1000nm,反射率波段依据不同的外延结构进行调整，其波段跨度≥250nm；夹心DBR膜层结构，第一层为DBR结构，中间夹心层为SiO2，第三层为DBR层或SiO2；其厚度分别为500nm‑4μm,500nm‑1μm,100nm‑4μm；所述步骤(5)中周期性光刻胶图形周期为1μm‑10μm，其周期性图形间距为0.1μm‑5μm。