[发明专利]一种常温、低电压条件下电沉积类金刚石薄膜的方法在审
| 申请号： | 201510298974.7 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN104862759A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 陈智栋;张倩;王文昌;王钰蓉 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于类金刚石薄膜制备技术领域，特别涉及一种液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法。本发明方法以掺杂氟的二氧化锡导电玻璃、ITO或单晶硅为阴极，碳棒为阳极，卤代羧酸溶液为电解液。在常温条件下，通过在阴阳两电极之间施加3～15V的直流电压，可以在阴极上沉积出类金刚石薄膜。该方法具有设备简单、能耗低、沉积速率快及成膜均一性好等优点，易于实现工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 常温 电压 条件下 沉积 金刚石 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法，其特征在于：所述的制备方法中，以卤代羧酸的水溶液为电解液，在阴极和阳极之间施加电压，电沉积类金刚石薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州大学，未经常州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510298974.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
