[发明专利]一种一维α‑Si3N4纳米材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510299826.7 | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104891456B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李斌;崔江;张长瑞;王思青;邹春荣 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所43205 | 代理人： | 陈亚琴,宁星耀 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种一维α‑Si3N4纳米材料及其制备方法，所述一维α‑Si3N4纳米材料按照以下方法制成（1）将氧化铝陶瓷片表面清理干净，进行超声清洗，然后干燥；（2）将处理后的氧化铝陶瓷片水平悬于装有一氧化硅粉末的坩埚上，在抽真空后持续通入氮化气体的反应炉中，以5～15℃/min的速度加热至1200～1600℃后，保温0.5～6h，然后以1～10℃/min的速度降温至1000℃，随炉冷却至室温，得一维α‑Si3N4纳米材料。本发明一维α‑Si3N4纳米材料产量较大，产物主要为单晶相α‑Si3N4，产物与原料易分离；产物形貌可控，结晶度好，缺陷少，有较好的力学性能；整个工艺过程极简便、易于操作，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si sub 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种一维α‑Si3N4纳米材料，其特征在于，按照以下方法制成：（1）选取氧化铝陶瓷片为基底，将氧化铝陶瓷片表面清理干净，置于无水乙醇中超声清洗，然后进行干燥；所述超声清洗的频率为25～60 kHz，时间为2～3h；（2）将步骤（1）处理后的氧化铝陶瓷片水平悬于装有一氧化硅粉末的坩埚上，在抽真空后持续通入氮化气体的反应炉中，以7～11℃/min的速度加热至1200～1600℃后，保温1.0～3.5h，然后以3～6℃/min的速度降温至1000℃，随炉冷却至室温，得一维α‑Si3N4纳米材料。
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