[发明专利]半导体异质结器件

摘要

异质结半导体器件，包括：衬底；布置在衬底上的多层结构，所述多层结构包括：第一层，包括布置在衬底上方的第一半导体；第二层，包括布置在第一层上方以限定第一层与第二层之间的界面的第二半导体，其中第二半导体与第一半导体不同，使得在界面附近形成二维电子气；第一端子，电耦合到第一层与第二层之间界面的第一区域；第二端子，电耦合到第一层与第二层之间界面的第二区域；以及导电沟道，包括金属或所述第一层的区域，所述区域比所述第一层的其它区域具有更高的缺陷密度，其中导电沟道将第二端子与第一层的区域连接，使得电荷能够在第二端子和第一层之间流动。

主权项

1.一种异质结半导体器件，包括：衬底；多层结构，布置在所述衬底上，所述多层结构包括：第一层，包括布置在所述衬底的上方的第一半导体；第二层，包括第二半导体，所述第二半导体布置在所述第一层的上方以限定所述第一层与所述第二层之间的界面，其中所述第二半导体与所述第一半导体不同，使得在所述界面附近形成二维电子气；第一端子，电耦合到所述第一层与所述第二层之间的所述界面的第一区域；第二端子，电耦合到所述第一层与所述第二层之间的所述界面的第二区域；以及导电沟道，包括与所述第一层接触的至少一个金属导电沟道，其中所述导电沟道将所述第二端子与所述第一层的区域连接，使得电荷能够在所述第二端子和所述第一层之间流动。