[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201510303519.1 | 申请日: | 2015-06-04 |
公开(公告)号: | CN104965362A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 孔祥永 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,该阵列基板包括:衬底、栅金属层、有源层、源漏金属层、像素电极层、以及存储电容区域;在存储电容区域,栅金属层包括栅金属层存储图案、有源层包括有源层存储图案、源漏金属层包括源漏金属层存储图案、像素电极层包括像素电极层存储图案;栅金属层存储图案、有源层存储图案、源漏金属层存储图案和像素电极层存储图案在衬底上的投影至少部分重合,且像素电极层存储图案与栅金属层存储图案电连接构成存储电容的第一电极,有源层存储图案与源漏金属层存储图案电连接构成存储电容的第二电极。采用两个存储电容并联的方式,进而减少了存储电容的占用面积,提高了像素的开口率。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底、栅金属层、有源层、源漏金属层、像素电极层、以及存储电容区域;在所述存储电容区域,所述栅金属层包括栅金属层存储图案、所述有源层包括有源层存储图案、所述源漏金属层包括源漏金属层存储图案、所述像素电极层包括像素电极层存储图案;其中,所述栅金属层存储图案、有源层存储图案、源漏金属层存储图案和像素电极层存储图案在所述衬底上的投影至少部分重合,且所述像素电极层存储图案与所述栅金属层存储图案电连接构成存储电容的第一电极,所述有源层存储图案与所述源漏金属层存储图案电连接构成所述存储电容的第二电极。
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