[发明专利]提高微凸点制备良率的装置及微凸点的制备工艺在审
申请号: | 201510306527.1 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN105006436A | 公开(公告)日: | 2015-10-28 |
发明(设计)人: | 何洪文;曹立强;于大全 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;刘海 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及一种提高微凸点制备良率的装置及微凸点的制备工艺,其特征是:包括工作箱体,工作箱体一侧设置上盖,在上盖的内侧设有多个红外加热灯管;在所述工作箱体内设置多个用于放置晶圆的柔性托架,在晶圆的一侧安装钎料填充头,钎料填充头上设有喷嘴。所述制备工艺,包括以下步骤:在晶圆上电镀Ti/Cu种子层,在Ti/Cu种子层上涂光刻胶,在光刻胶表面制备阻焊层,在光刻胶上制作开口;在开口中电镀铜;钎料合金由喷嘴向开口处进行填充;采用氮气将晶圆表面多余的钎料合金喷除;将光刻胶剥离,暴露光刻胶下方的Ti/Cu种子层;回流形成凸点;刻蚀掉暴露于表面的Ti/Cu种子层。本发明能够保持焊料融化状况,精确控制焊料注入;并有效防止晶圆碎片,提高良率。 | ||
搜索关键词: | 提高 微凸点 制备 装置 工艺 | ||
【主权项】:
一种提高微凸点制备良率的装置,其特征是:包括工作箱体(100),工作箱体(100)内部为微凸点制备腔体,工作箱体(100)一侧设置可闭合的上盖(102),在上盖(102)的内侧设有多个红外加热灯管(107),上盖(102)闭合后将微凸点制备腔体形成封闭空间;在所述工作箱体(100)内设置多个用于放置晶圆(1)的柔性托架(103),在晶圆(1)的一侧安装钎料填充头(105),钎料填充头(105)上设有喷嘴,钎料填充头(105)与工作箱体(100)外侧的进料嘴(106)连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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