[发明专利]具有凹陷沟道的应变半导体装置以及形成该装置的方法

摘要

本发明提供一种具有应力沟道(strained channel)的半导体装置以及制造该装置的方法。此半导体装置具有形成在沟道凹陷上的栅极。以应力引发材料(stress‑inducing material)填入形成于栅极两侧的第一凹陷及第二凹陷，该应力引发材料扩展进入源极/漏极延伸(source/drain extension)与栅极边缘重叠的区域。在一实施例中，沟道凹陷及/或第一与第二凹陷的侧壁可为沿着{111}刻面。本发明相较于其他已知系统可在沟道区显示较高且较均匀的应力。

主权项

一种形成半导体装置的方法，包括：在一基板上形成一第一栅极；在该第一栅极两侧的该基板中形成一第一应力引发区及一第二应力引发区；在该第一栅极两侧的该基板中形成源极/漏极延伸；移除该第一栅极；在该基板中的该第一应力引发区及该第二应力引发区之间形成一沟道凹陷，该第一应力引发区及该第二应力引发区扩展进入源极/漏极延伸与该沟道凹陷重叠的一区域；以及在该沟道凹陷上形成一栅极介电材料及一第二栅极，该第一应力引发区及该第二应力引发区的材料未与该栅极介电材料直接接触，且该源极/漏极延伸与该栅极介电材料直接接触；其中该沟道凹陷在{111}刻面具有一侧壁。