[发明专利]细节距铜柱微凸点制备工艺在审

专利信息
申请号: 201510307277.3 申请日: 2015-06-05
公开(公告)号: CN105023854A 公开(公告)日: 2015-11-04
发明(设计)人: 何洪文;于大全;孙鹏;曹立强 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 代理人: 曹祖良;刘海
地址: 214135 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种细节距铜柱微凸点制备工艺,其特征是,包括以下步骤:(1)在晶圆表面电镀Ti/Cu种子层;(2)在Ti/Cu种子层表面沉积铜层;(3)在铜层表面制备钎料层;(4)在钎料层表面涂覆光刻胶层;(5)在光刻胶层上进行开口工艺,形成开口,开口由光刻胶层的上表面延伸至光刻胶层的下表面;制作开口后所保留的光刻胶层的大小、数量、分布与所需制备的铜柱的大小、数量、分布相一致;(6)在开口处进行刻蚀,将开口下方的钎料层、铜层和Ti/Cu种子层刻蚀掉,露出晶圆的上表面;(7)剥离残留的光刻胶层;(8)回流形成铜柱微凸点。本发明可批量完成铜柱凸点的制备,提高了生产效率;可实现三元或多元合金钎料的凸点制备,满足不同产品的应用。
搜索关键词: 细节 距铜柱微凸点 制备 工艺
【主权项】:
一种细节距铜柱微凸点制备工艺,其特征是,包括以下步骤:(1)在晶圆(1)表面电镀Ti/Cu种子层(2);(2)在Ti/Cu种子层(2)表面沉积设定厚度的铜层(3);(3)在铜层(3)表面制备钎料层(4);(4)在钎料层(4)表面涂覆光刻胶层(5);(5)在光刻胶层(5)上进行开口工艺,形成开口(6),开口(6)由光刻胶层(5)的上表面延伸至光刻胶层(5)的下表面;制作开口(6)后所保留的光刻胶层(5)的大小、数量、分布与所需制备的铜柱的大小、数量、分布相一致;(6)在开口(6)处进行刻蚀,将开口(6)下方的钎料层(4)、铜层(3)和Ti/Cu种子层(2)刻蚀掉,露出晶圆(1)的上表面;(7)剥离残留的光刻胶层(5);(8)进行回流工艺,在铜层(3)上形成铜柱微凸点。
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