[发明专利]细节距铜柱微凸点制备工艺在审
申请号: | 201510307277.3 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN105023854A | 公开(公告)日: | 2015-11-04 |
发明(设计)人: | 何洪文;于大全;孙鹏;曹立强 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;刘海 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种细节距铜柱微凸点制备工艺,其特征是,包括以下步骤:(1)在晶圆表面电镀Ti/Cu种子层;(2)在Ti/Cu种子层表面沉积铜层;(3)在铜层表面制备钎料层;(4)在钎料层表面涂覆光刻胶层;(5)在光刻胶层上进行开口工艺,形成开口,开口由光刻胶层的上表面延伸至光刻胶层的下表面;制作开口后所保留的光刻胶层的大小、数量、分布与所需制备的铜柱的大小、数量、分布相一致;(6)在开口处进行刻蚀,将开口下方的钎料层、铜层和Ti/Cu种子层刻蚀掉,露出晶圆的上表面;(7)剥离残留的光刻胶层;(8)回流形成铜柱微凸点。本发明可批量完成铜柱凸点的制备,提高了生产效率;可实现三元或多元合金钎料的凸点制备,满足不同产品的应用。 | ||
搜索关键词: | 细节 距铜柱微凸点 制备 工艺 | ||
【主权项】:
一种细节距铜柱微凸点制备工艺,其特征是,包括以下步骤:(1)在晶圆(1)表面电镀Ti/Cu种子层(2);(2)在Ti/Cu种子层(2)表面沉积设定厚度的铜层(3);(3)在铜层(3)表面制备钎料层(4);(4)在钎料层(4)表面涂覆光刻胶层(5);(5)在光刻胶层(5)上进行开口工艺,形成开口(6),开口(6)由光刻胶层(5)的上表面延伸至光刻胶层(5)的下表面;制作开口(6)后所保留的光刻胶层(5)的大小、数量、分布与所需制备的铜柱的大小、数量、分布相一致;(6)在开口(6)处进行刻蚀,将开口(6)下方的钎料层(4)、铜层(3)和Ti/Cu种子层(2)刻蚀掉,露出晶圆(1)的上表面;(7)剥离残留的光刻胶层(5);(8)进行回流工艺,在铜层(3)上形成铜柱微凸点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510307277.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造