[发明专利]带扩张装置在审
申请号: | 201510308985.9 | 申请日: | 2015-06-08 |
公开(公告)号: | CN105321865A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 服部笃;武藤荣 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种带扩张装置,其能够使膜状粘接剂恰当地断裂。带扩张装置(2)使粘贴在晶片(11)的背面(11b)上的膜状粘接剂(21),在粘贴于安装在环状框架(25)的开口中的扩展带(23)上的状态下沿着分割预定线断裂,所述晶片在正面(11a)上形成有多个分割预定线(13),其中,所述带扩张装置构成为具备:框架保持构件(22、24),其保持环状框架;带扩张构件(16),其使扩展带扩张;冷气供给构件(32),其将冷气供给至进行断裂的空间中;以及温度测量构件(34),其对被冷却的扩展带或晶片的温度进行测量。 | ||
搜索关键词: | 扩张 装置 | ||
【主权项】:
一种带扩张装置,所述带扩张装置使粘贴在晶片的背面上的膜状粘接剂,在粘贴于安装在环状框架的开口中的扩展带上的状态下沿着分割预定线断裂,所述晶片在正面上形成有多个该分割预定线,所述带扩张装置的特征在于,所述带扩张装置具备:框架保持构件,其保持该环状框架;带扩张构件,其使该扩展带扩张;冷气供给构件,其将冷气供给至进行断裂的空间中;以及温度测量构件,其对被冷却的该扩展带或晶片的温度进行测量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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