[发明专利]实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法有效
申请号: | 201510309008.0 | 申请日: | 2015-06-07 |
公开(公告)号: | CN104900660B | 公开(公告)日: | 2018-02-09 |
发明(设计)人: | 黄锦才;刘玮荪 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/04;H01L21/60 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法,包括在晶圆内形成硅基器件和光电二极管,并且在硅晶圆表面上形成用于键合的铝金属键合图案;在光子器件晶圆中形成光子器件,在光子器件晶圆的第一侧表面上形成用于键合的锗金属键合图案,在光子器件晶圆的第二侧表面上形成封装层;使得晶圆的铝金属键合图案和光子器件晶圆的锗金属键合图案接触并执行键合处理,从而形成铝锗共晶键合;对晶圆的与形成铝金属键合图案的一侧相对的一侧进行减薄,以露出光电二极管,而且对光子器件晶圆的第二侧表面上的封装层进行图案化,以露出光子器件;将减薄和图案化之后将晶圆和光子器件晶圆的组合布置在第一基板和第二基板之间。 | ||
搜索关键词: | 实现 光子 器件 系统 一体化 集成 方法 | ||
【主权项】:
一种实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法,其特征在于包括:在硅晶圆内形成硅基器件和光电二极管,并且在硅晶圆表面上形成用于键合的铝金属键合图案;在光子器件晶圆中形成光子器件,在光子器件晶圆的第一侧表面上形成用于键合的锗金属键合图案,在光子器件晶圆的第二侧表面上形成封装层;使得硅晶圆的铝金属键合图案和光子器件晶圆的锗金属键合图案接触并执行键合处理,从而形成铝锗共晶键合;对硅晶圆的与形成铝金属键合图案的一侧相对的一侧进行减薄,以露出光电二极管,而且对光子器件晶圆的第二侧表面上的封装层进行图案化,以露出光子器件;将减薄和图案化之后的硅晶圆和光子器件晶圆的组合布置在第一基板和第二基板之间,其中第一基板上具有与光电二极管相对应的用于输入光的开口,而且第二基板上具有与光子器件相对应的用于输出光的开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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