[发明专利]实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法有效

专利信息
申请号: 201510309008.0 申请日: 2015-06-07
公开(公告)号: CN104900660B 公开(公告)日: 2018-02-09
发明(设计)人: 黄锦才;刘玮荪 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H01L27/04;H01L21/60
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法,包括在晶圆内形成硅基器件和光电二极管,并且在硅晶圆表面上形成用于键合的铝金属键合图案;在光子器件晶圆中形成光子器件,在光子器件晶圆的第一侧表面上形成用于键合的锗金属键合图案,在光子器件晶圆的第二侧表面上形成封装层;使得晶圆的铝金属键合图案和光子器件晶圆的锗金属键合图案接触并执行键合处理,从而形成铝锗共晶键合;对晶圆的与形成铝金属键合图案的一侧相对的一侧进行减薄,以露出光电二极管,而且对光子器件晶圆的第二侧表面上的封装层进行图案化,以露出光子器件;将减薄和图案化之后将晶圆和光子器件晶圆的组合布置在第一基板和第二基板之间。
搜索关键词: 实现 光子 器件 系统 一体化 集成 方法
【主权项】:
一种实现光子器件和硅基器件的系统一体化集成的键合方法,其特征在于包括:在硅晶圆内形成硅基器件和光电二极管,并且在硅晶圆表面上形成用于键合的铝金属键合图案;在光子器件晶圆中形成光子器件,在光子器件晶圆的第一侧表面上形成用于键合的锗金属键合图案,在光子器件晶圆的第二侧表面上形成封装层;使得硅晶圆的铝金属键合图案和光子器件晶圆的锗金属键合图案接触并执行键合处理,从而形成铝锗共晶键合;对硅晶圆的与形成铝金属键合图案的一侧相对的一侧进行减薄,以露出光电二极管,而且对光子器件晶圆的第二侧表面上的封装层进行图案化,以露出光子器件;将减薄和图案化之后的硅晶圆和光子器件晶圆的组合布置在第一基板和第二基板之间,其中第一基板上具有与光电二极管相对应的用于输入光的开口,而且第二基板上具有与光子器件相对应的用于输出光的开口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510309008.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top