[发明专利]一种锗层及半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201510309045.1 | 申请日： | 2015-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN104867822B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 赵波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种锗层及半导体器件的制作方法，所述锗层的制作方法，将传统耗时较长的锗PVD一步生长分解为时间较短的多步锗PVD生长，各步锗沉积的厚度之和为要求的锗层总厚度，打断了电荷在靶材表面的不断聚集过程；同时在每一步小的淀积步骤后，增加一步大气流、高压力的气体吹拂步骤，以将靶材表面累积的电荷吹走，从而减少了靶材与等离子体枪之间的电弧放电现象，保护靶材不被局部融化，减少了靶材融化后滴落到沉积表面的溅射颗粒物数量，最终在保持锗层总沉积厚度的基础上，明显降低了沉积锗层表面的颗粒物缺陷数量。本发明的半导体器件的制作方法，采用所述锗层的制作方法形成其锗层，提高了器件性能和器件集成合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种锗层的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，并根据预制作的锗层总厚度将锗层的总沉积工艺分解成连续的多步锗薄层沉积工艺；按照每步锗薄层沉积工艺的工艺参数，在所述衬底上依次物理气相沉积各个锗薄层，并在某步锗薄层沉积后，对沉积所用的靶材表面进行气体吹拂，其中，沉积形成的所有锗薄层在所述衬底上的厚度之和为所述锗层总厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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