[发明专利]基于耦合腔的单模高速调制法布里‑珀罗半导体激光器有效
| 申请号： | 201510309493.1 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN104868359B | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 马秀雯;杨跃德;肖金龙;刘博文;邹灵秀;龙衡;黄永箴 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/14;H01S5/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于耦合腔的单模高速调制法布里一珀罗半导体激光器，包括一管芯，该管芯为一叠层结构，包括一下电极；一下接触层，其制作在下电极上；一N型衬底，其制作在下接触层上；在N型衬底上分为两部分，一是为法布里珀罗型微腔，二是为回音壁型微腔，该法布里一珀罗型微腔制作在N型衬底上，其一端与N型衬底的一端齐平，该回音壁型微腔制作在N型衬底上，位于法布里一珀罗型微腔的另一端，该法布里一珀罗型微腔和回音壁型微腔的层叠结构相同。本发明是将高功率的法布里一珀罗微腔与单模高速调制回音壁型微腔相结合，通过调节两腔之间的模式耦合以调节法布里一珀罗微腔的等效反射率，从而实现高功率、单模激射和更好的高速调制特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 耦合 单模 高速 调制 法布里 半导体激光器 | ||
【主权项】：
一种基于耦合腔的单模高速调制法布里‑珀罗半导体激光器，包括：一管芯，该管芯为一叠层结构，包括：一下电极；一下接触层，其制作在下电极上；一N型衬底，其制作在下接触层上；在N型衬底上分为两部分，一是为法布里‑珀罗型微腔，二是为回音壁型微腔，该法布里‑珀罗型微腔制作在N型衬底上，其一端与N型衬底的一端齐平，该回音壁型微腔制作在N型衬底上，位于法布里‑珀罗型微腔的另一端；该法布里‑珀罗型微腔和回音壁型微腔的层叠结构相同，包括：一N型限制层，其制作在N型衬底上；一有源层，其制作在N型限制层上；一P型限制层，其制作在有源层上；一P型盖层，其制作在P型限制层上；一上接触层，其制作在P型盖层上；一上电极，其制作在上接触层上。
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