[发明专利]二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法

摘要

本发明涉及一种二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，使用二硫化钛为原料，水热合成制得片层结构TiS₂纳米片，通过超声辅助化学法制得TiS₂荧光量子点；单链寡聚脱氧核糖核酸末端氨基与TiS₂QDs表面稳定剂分子的羧基结合，形成ODN修饰的TiS₂QDs，通过分子间作用力ODN可附着在TiS₂纳米片上，使TiS₂QDs与纳米片间接接触而发生荧光共振能量转移，可引起TiS₂QDs荧光淬灭；Hg²⁺可与单链ODN上的胸腺嘧啶碱基特异性地结合形成T-Hg²⁺-T结构，使得ODN脱离TiS₂纳米片表面，TiS₂QDs也随之离开，进而引起荧光恢复；拟合体系荧光强度与Hg²⁺浓度间的关系，可构建基于二硫化钛纳米片/量子点复合物的Hg²⁺荧光探针。首次实现了二硫化钛纳米片/量子点复合物与单链ODN复合构建离子荧光探针。

主权项

二硫化钛纳米片/量子点复合物汞离子荧光探针的制法，包括以下步骤：(1)TiS₂粉末加入分散剂中，经过超声得到悬浮液，离心分离，收集上层分散液，除去大颗粒后进行搅拌，制得TiS₂ QDs/TiS₂纳米片复合物悬浊液，将复合物悬浊液离心，收集上层分散液即为TiS₂ QDs，下层沉淀物即为TiS₂纳米片；(2)向所述TiS₂ QDs中加入磷酸盐缓冲液，常温下搅拌，加入寡合脱氧核苷酸孵化，除去未反应的TiS₂ QDs后，制得ODN表面修饰的TiS₂ QDs；(3)将ODN表面修饰的TiS₂ QDs与TiS₂纳米片混合，用磷酸盐缓冲液稀释，孵化，测量体系的荧光强度，然后加入Hg²⁺孵化，再测量体系的荧光强度，拟合体系荧光强度与Hg²⁺浓度间的线性方程，构建基于二硫化钛纳米片/量子点复合物的Hg²⁺荧光探针。