[发明专利]L10‑FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510309893.2 | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN104947057B | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 全志勇;宋智林;许小红;刘霞;武彪;张丽 | 申请（专利权）人： | 山西师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;H01L43/10;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 041004 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种L10‑FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器及其制备方法，所述传感器由基片、沉积于基片上的底层、磁性多层膜和保护层构成，基片为单晶MgO(001)，底层为Pt，磁性层为FePt/Cu/Fe，保护层为Pt。本发明设计并制备了L10‑FePt基磁性多层膜，磁性多层膜的室温磁电阻率(MR)为0.7％，在10K时增加到1.6％，低温下(100K以下)MR随外磁场(H)变化表现出良好的宽场线性响应，10K时MR‑H的宽场线性响应范围接近1T，并且具有较好的重复性。 | ||
| 搜索关键词： | l1 sub fept 基多 层膜宽场 线性 磁电 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
L10‑FePt基多层膜宽场线性磁电阻传感器，其特征在于，所述传感器由基片、沉积于基片上的底层、磁性多层膜和保护层构成，基片为单晶MgO(001)，底层为Pt，磁性层为FePt/Cu/Fe，保护层为Pt。
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