[发明专利]一种四元硫代锑酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途

摘要

本发明公开了一种四元硫代锑酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途。以水合氢氧化钡、金属银、二元固溶体硫化锑和单质硫为原料，水合肼为溶剂，在160℃烘箱中反应7天，得到四元硫化物半导体材料。化学组成式为BaAgSbS3和BaAgSbS3·H2O，本发明具有操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物，产率可达到40%‑50%，化学纯度高，用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。

主权项

一种四元硫代锑酸盐化合物半导体材料，其特征在于，其化学组成式分别为：BaAgSbS3，BaAgSbS3·H2O，其中BaAgSbS3晶体结构为：BaAgSbS3·H2O晶体结构为：所述BaAgSbS3属于单斜晶系，C2/c空间群，晶胞参数α＝90°，β＝101.734°，γ＝90°，Z＝8，Dc＝4.898g/cm3，单晶体为橙红色块状，能隙为2.21eV；BaAgSbS3·H2O属于正交晶系，Pan2空间群，晶胞参数α＝90°，β＝90°，γ＝90°，Z＝8，Dc＝4.435g/cm3，单晶体为黄色片状，能隙为2.43eV。