[发明专利]一种LED外延生长方法有效
| 申请号： | 201510315030.6 | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN105023976B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张宇;苗振林;卢国军;徐平 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LED外延生长方法，LED芯片是通过对基板进行处理得到的，基板包括衬底，位于衬底之上的缓冲层，位于缓冲层之上的N型GaN层，位于N型GaN层之上的发光层以及位于发光层之上的P型GaN层，方法在氢气气氛、温度为900‑1100℃下处理衬底；通入氢气、氨气及TMAl源，在衬底上生长AlN层；通入氢气、氨气、TMGa源及TMAl，在AlN层上生长AlGaN层；通入氢气、氨气、TMGa源及SiH4源，在AlGaN层上生长掺杂Si的N型GaN层；在掺杂Si的N型GaN层上生长发光层，发光层为有源层MQW；在有源层MQW上生长P型AlGaN层；在P型AlGaN层上生长掺镁的P型GaN层；及降温并在炉内冷却。该方法减少了LED器件的漏电，提升了LED器件的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种LED外延生长方法，所述LED芯片是通过对基板进行处理得到的，所述基板包括：衬底，位于所述衬底之上的缓冲层，位于所述缓冲层之上的N型GaN层，位于所述N型GaN层之上的发光层以及位于所述发光层之上的P型GaN层，其特征在于，所述方法：在氢气气氛、温度为900‑1100℃下处理衬底；通入氢气、氨气及TMAl源，在所述衬底上生长AlN层；在温度为800‑900℃、反应腔压力维持在100‑300mbar的条件下，通入50‑100L/min的氢气、50‑100L/min的氨气、200‑300sccm的TMGa源及50‑200sccm的TMAl，持续30‑60分钟，在所述AlN层上生长AlGaN层；通入氢气、氨气、TMGa源及SiH4源，在所述AlGaN层上生长掺杂Si的N型GaN层；在所述掺杂Si的N型GaN层上生长发光层，所述发光层为有源层MQW；在所述有源层MQW上生长P型AlGaN层；在所述P型AlGaN层上生长掺镁的P型GaN层；及降温并在炉内冷却。
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