[发明专利]抗单粒子效应的SRAM存储单元

摘要

本发明涉及一种抗单粒子效应的SRAM存储单元。所述SRAM存储单元包括RC滤波电路，所述第一输入输出端口、第一电位翻转恢复驱动电路、RC滤波电路、第二电位翻转恢复驱动电路和第二输入输出端口依次串联；所述RC滤波电路包括第一电阻、第二电阻和电容，本发明在原有普通SRAM存储单元的基础上，将原有金属连线改为高阻多晶硅电阻连线，而且利用深亚微米的MIM电容工艺增加了一个由上层金属层形成的MIM电容，电阻和电容在存储单元内部组成一个RC滤波电路，在不增加存储单元面积和功耗的基础上，有效提高了SRAM存储单元的抗单粒子效应的能力。

主权项

一种抗单粒子效应的SRAM存储单元，包括第一输入输出端口、第一电位翻转恢复驱动电路、第二电位翻转恢复驱动电路和第二输入输出端口；其特征是：所述SRAM存储单元还包括RC滤波电路，所述第一输入输出端口、第一电位翻转恢复驱动电路、RC滤波电路、第二电位翻转恢复驱动电路和第二输入输出端口依次串联，所述第一输入输出端口通过第三NMOS管与第一电位翻转恢复驱动电路连接，所述第二输入输出端口通过第四NMOS管与第二电位翻转恢复驱动电路连接；所述第一、第二电位翻转恢复驱动电路均由一个上拉PMOS管与下拉NMOS管构成；所述RC滤波电路包括第一电阻、第二电阻和电容，所述第一电阻一端连接在第一输入输出端口与第一电位翻转恢复驱动电路连接的节点处，另一端与第二电位翻转恢复驱动电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管的栅极相连，所述第二电阻一端连接在第二输入输出端口与第二电位翻转恢复驱动电路连接的节点处，另一端与第一电位翻转恢复驱动电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管的栅极相连，所述电容一端与第一电位翻转恢复驱动电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管的栅极相连，另一端与第二电位翻转恢复驱动电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管的栅极相连。