[发明专利]MEMS器件校准有效
| 申请号： | 201510317079.5 | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN105293422B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 马特吉·戈森斯;威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林;皮特·杰勒德·斯蒂内肯;卡斯珀·范德阿奥斯特;雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格 | 申请（专利权）人： | ams国际有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C99/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 唐文静 |
| 地址： | 瑞士拉珀*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个示例公开了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括具有内部环境的空腔；将所述内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离的密封，其中所述密封易于响应于校准解封能量而被损坏，并且，在所述密封损坏时，形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路；以及，能够在所述密封损坏之前和在所述密封损坏之后测量所述内部环境的校准电路。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 校准 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，包括：具有内部环境的空腔；密封，所述密封将所述内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离，其中所述密封易于响应于校准解封能量而被损坏，并且，在所述密封损坏时，形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路；校准电路，所述校准电路能够在所述密封损坏之前以及在所述密封损坏之后测量所述内部环境；以及通道，所述通道将所述空腔的拐角耦合到所述密封。
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