[发明专利]单片化物品的移送方法、制造方法以及制造装置有效
申请号: | 201510319500.6 | 申请日: | 2015-06-11 |
公开(公告)号: | CN105304542B | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 今井一郎;渡边创 | 申请(专利权)人: | 东和株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677;H01L21/67;H01L21/78 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人: | 张路,王琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开一种单片化物品的移送方法、制造方法及制造装置。在将单片化物品移送于容器的工序中,抑制已收容于容器的单片化物品被真空破坏用的高压气体吹走。使用开闭阀(35)按规定的喷射时间打开各加压系配管(33),由此依次经由加压源(19)、加压系配管、运转切换阀(30op)、运转个别配管(26op)和运转垫(28op)具有的开口(27)对电子部件(单片化物品)(24)按规定的喷射时间喷射高压气体,以向托盘(15)吹走电子部件。按照根据读出的运转垫信息而算出的运转垫的数量来确定喷射时间。当运转垫的数量多时延长喷射时间,当运转垫的数量少时缩短喷射时间。据此能够抑制已收容于容器的单片化物品被高压气体吹走。 | ||
搜索关键词: | 单片 物品 移送 方法 制造 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种单片化物品的移送方法,利用具有多个吸附垫的移送机构,将通过切断对象物从而被单片化的单片化物品移送到容器中,其特征在于,包括:使用开闭阀,来关闭能够连接有与所述多个吸附垫分别具有的开口分别相连的多个个别配管并与加压源相连的加压系配管的工序;使用对被连接于吸引源的吸引系配管与所述加压系配管进行切换的多个切换阀,来连接所述多个个别配管与所述加压系配管的工序;读出用于确定所述多个吸附垫之中的对所述单片化物品进行吸附的运转垫的运转垫信息的工序;通过使用所述多个切换阀之中的与由和所述运转垫相连的所述个别配管构成的运转个别配管相连的运转切换阀,来连接所述运转个别配管与所述吸引系配管,从而在所述运转垫中对所述单片化物品进行吸附的工序;使用所述移送机构,来将所述单片化物品运送至所述容器的上方为止的工序;使用所述运转切换阀,来将所述运转个别配管与所述吸引系配管遮断,并将所述运转个别配管与所述加压系配管连接的工序;以及通过使用所述开闭阀按规定的喷射时间打开所述加压系配管,从而依次经由所述加压源、所述加压系配管、所述运转个别配管和所述运转垫所具有的所述开口,对所述单片化物品按所述规定的喷射时间喷射高压气体,用以朝向所述容器吹走所述单片化物品的工序,在读出所述运转垫信息的工序之后,进一步包括:根据所述运转垫信息,计算出所述运转垫的数量的工序;以及按照所述运转垫的数量,对所述喷射时间进行确定的工序,在所述进行确定的工序中,当所述运转垫的数量多时,延长所述喷射时间,当所述运转垫的数量少时,缩短所述喷射时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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