[发明专利]制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器在审
申请号: | 201510320636.9 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN105321970A | 公开(公告)日: | 2016-02-10 |
发明(设计)人: | 大贯裕介;板桥政次;杮沼伸明;下津佐峰生;藤田雅人;荻野拓海;鸟居庆大 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器。该方法包括准备晶片,所述晶片包括设置了光电转化元件的像素区、设置了用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区、和划片区。所述方法包括形成覆盖像素区、周边电路区和划片区的绝缘膜,以及通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧表面上形成侧壁间隔物使得部分绝缘膜保留以覆盖像素区和划片区,以及通过使用覆盖像素区和划片区的绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模在周边电路区中形成金属硅化物层。 | ||
搜索关键词: | 制造 固态 图像传感器 方法 | ||
【主权项】:
一种制造固态图像传感器的方法,其特征在于,所述方法包括:准备晶片,所述晶片包含其中设置光电转化元件的像素区、其中设置用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区,和划片区;形成绝缘膜,所述绝缘膜覆盖所述像素区、所述周边电路区和所述划片区;通过蚀刻所述绝缘膜以使得所述绝缘膜的部分保留以覆盖所述像素区和所述划片区,在所述栅电极的侧表面上形成形成侧壁间隔物;以及通过使用所述绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模来覆盖所述像素区和所述划片区,在所述周边电路区中形成金属硅化物层,其中在所述金属硅化物层的形成中,覆盖所述划片区的绝缘膜的面积不低于所述划片区的面积的99%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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