[发明专利]制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器在审

专利信息
申请号: 201510320636.9 申请日: 2015-06-12
公开(公告)号: CN105321970A 公开(公告)日: 2016-02-10
发明(设计)人: 大贯裕介;板桥政次;杮沼伸明;下津佐峰生;藤田雅人;荻野拓海;鸟居庆大 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 罗银燕
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 公开了一种制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器。该方法包括准备晶片,所述晶片包括设置了光电转化元件的像素区、设置了用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区、和划片区。所述方法包括形成覆盖像素区、周边电路区和划片区的绝缘膜,以及通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧表面上形成侧壁间隔物使得部分绝缘膜保留以覆盖像素区和划片区,以及通过使用覆盖像素区和划片区的绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模在周边电路区中形成金属硅化物层。
搜索关键词: 制造 固态 图像传感器 方法
【主权项】:
一种制造固态图像传感器的方法,其特征在于,所述方法包括:准备晶片,所述晶片包含其中设置光电转化元件的像素区、其中设置用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区,和划片区;形成绝缘膜,所述绝缘膜覆盖所述像素区、所述周边电路区和所述划片区;通过蚀刻所述绝缘膜以使得所述绝缘膜的部分保留以覆盖所述像素区和所述划片区,在所述栅电极的侧表面上形成形成侧壁间隔物;以及通过使用所述绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模来覆盖所述像素区和所述划片区,在所述周边电路区中形成金属硅化物层,其中在所述金属硅化物层的形成中,覆盖所述划片区的绝缘膜的面积不低于所述划片区的面积的99%。
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