[发明专利]太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510323003.3 申请日: 2015-06-12
公开(公告)号: CN104865453B 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 刘亚男;胡志富;杜光伟;李静强;冯彬;彭志农;何美林;曹健 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: G01R27/28 分类号: G01R27/28;G01R3/00
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 米文智
地址: 050051 *** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种太赫兹在片散射参数测量校准件及其制备方法,涉及太赫兹器件散射参数测试装置技术领域。所述校准件包括衬底,所述衬底的上表面制作有一个直通标准件、一个反射标准件和至少一个传输线标准件,所述衬底的下表面制作有背面金属层,所述衬底作为整个校准件和被测件的共同衬底。所述校准件不仅可以解决衬底和被测件衬底不匹配的问题,提高了测量的精确度,还可以将校准后的参考平面移到管芯根部,不需要做去嵌入处理,并且采用共面波导结构还可以减小损耗。
搜索关键词: 赫兹 散射 参数 测量 校准 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种太赫兹在片散射参数测量校准件,其特征在于:包括衬底(1),所述衬底(1)的上表面制作有一个直通标准件(2)、一个反射标准件(3)和至少一个传输线标准件(4),所述衬底(1)的下表面制作有背面金属层(5),所述衬底(1)作为整个校准件和被测件的共同衬底;所述传输线标准件(4)采用多线结构,为两个以上;所述直通标准件(2)、反射标准件(3)和传输线标准件(4)均采用共面波导结构;所述背面金属层(5)的制备材料为金或铝;所述衬底(1)的制备材料为InP,所述直通标准件(2)、反射标准件(3)和传输线标准件(4)通过InP流片工艺同被测件一起制备在所述衬底(1)的上表面,所述背面金属层(5)通过InP流片工艺制备在所述衬底(1)的下表面。
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