[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、氧化物背板和显示装置在审
| 申请号： | 201510324773.X | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097942A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 成军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、氧化物背板和显示装置，该薄膜晶体管包括：氧化物有源层以及与所述氧化物有源层相连的源漏电极；所述源漏电极包括主体部分和导接部分，所述主体部分与所述有源层相互隔离，并通过所述导接部分与所述有源层电连接；所述导接部分的电阻率大于所述主体部分的电阻率。本发明提供的薄膜晶体管，由于主体部分不与氧化物有源层接触，可以采用导电性较高的金属作为源漏电极，而不会对氧化物有源层的电学性能产生较大影响。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 氧化物 背板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：氧化物有源层以及与所述氧化物有源层相连的源漏电极；所述源漏电极各自包括主体部分和导接部分，所述主体部分与所述氧化物有源层相互隔离，并通过所述导接部分与所述氧化物有源层电连接；所述导接部分的电阻率大于所述主体部分的电阻率。
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