[发明专利]一种抗LID黑硅太阳能高效电池及其生产方法

摘要

本发明涉及一种抗LID黑硅太阳能高效电池及其生产方法，包括正、负电极、铝背场、P型硅片衬底和依次位于P型硅片衬底上的PN结、SiO2氧化膜、SiNx薄膜，所述PN结厚度均匀，所述SiNx薄膜包覆在SiO2氧化膜表面；依次经过高陷光纳米柱的制作、第一次扩散、去除边结和磷硅玻璃层、第二次扩散、SiNx表面钝化和减反薄膜沉积、制备电池负电极、正电极和铝背场，完成抗LID黑硅太阳能电池制备。本发明增强了光能的吸收，提高了光电转换效率，减少了电池的漏电现象，具有抗LID和PID效果。

主权项

一种抗LID黑硅太阳能高效电池，包括正、负电极和铝背场，还包括P型硅片衬底和依次位于P型硅片衬底上的PN结、SiO2氧化膜、SiNx薄膜，所述PN结厚度均匀，所述SiNx薄膜包覆在SiO2氧化膜表面；所述P型硅片衬底一端平整，另一端呈陷光结构，在其陷光结构端端面为PN结；所述PN结外侧、P型硅片衬底陷光结构端外层为SiO2氧化膜；所述SiNx薄膜一端平整，另一端与所述P型硅片衬底陷光结构端形成吻合设置；其特征在于：所述陷光结构呈锯齿形状，且所述锯齿形状的相对远离所述P型硅片衬底平整的一端为所述锯齿形状的齿尖部，所述锯齿形状的相对靠近所述P型硅片衬底平整的一端为所述锯齿形状的齿根部，所述SiO2氧化膜设置于所述PN结和所述SiNx薄膜之间，且所述SiO2氧化膜与所述PN结、所述SiO2氧化膜与所述SiNx薄膜在靠近所述齿尖部的位置接触，所述SiO2氧化膜与所述PN结为圆角接触，所述SiO2氧化膜与所述SiNx薄膜为钝角接触。