[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，可增大晶粒尺寸，减小晶界数量，降低漏电流，提高TFT电性能。该制备方法包括形成低温多晶硅有源层的步骤；衬底基板具有第一、第二区域；该步骤包括在衬底基板的第一、第二区域上形成缓冲层，缓冲层对应于第一区域的厚度大于对应于第二区域的厚度；或者，在衬底基板的第一区域上形成缓冲层；在缓冲层上形成非晶硅层；对非晶硅层进行激光晶化处理，使非晶硅层转化为多晶硅层；去除第二区域上的多晶硅层，在第一区域上形成低温多晶硅有源层。用于薄膜晶体管及包括该薄膜晶体管的阵列基板的制备。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在衬底基板上形成低温多晶硅有源层的步骤；其中，所述衬底基板具有第一区域和第二区域；所述第一区域对应于待形成的低温多晶硅有源层的图案，所述第二区域至少位于待形成的低温多晶硅有源层的相对两侧；所述在衬底基板上形成低温多晶硅有源层的步骤包括：在所述衬底基板的第一区域和第二区域上形成缓冲层，所述缓冲层对应于第一区域的厚度大于对应于第二区域的厚度；或者，在所述衬底基板的第一区域上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行激光晶化处理，使所述非晶硅层转化为多晶硅层；去除所述第二区域上的所述多晶硅层，在所述第一区域上形成低温多晶硅有源层；所述低温多晶硅有源层具有预定区域、源极接触区域、漏极接触区域；所述预定区域对应于待形成的源极与漏极相对的区域；其中，所述源极接触区域、所述漏极接触区域分别位于所述第一区域中靠近所述第二区域的相对两侧；所述去除所述第二区域上的所述多晶硅层，在所述第一区域上形成低温多晶硅有源层之后，所述制备方法还包括：对所述源极接触区域以及所述预定区域靠近所述源极接触区域的第一部分区域进行离子掺杂，形成第一掺杂区域；以及，对所述漏极接触区域以及所述预定区域靠近所述漏极接触区域的第二部分区域进行离子掺杂，形成第二掺杂区域；所述第一掺杂区域沿导通方向上的宽度为1～2μm；和/或，所述第二掺杂区域沿导通方向上的宽度为1～2μm；其中，所述导通方向为从所述源极接触区域指向所述漏极接触区域的方向；所述对所述非晶硅层进行激光晶化处理，使所述非晶硅层转化为多晶硅层之前，所述制备方法还包括：对形成的所述非晶硅层进行去氢处理。