[发明专利]保护热场部件减小损耗的热场及方法有效
| 申请号： | 201510331146.9 | 申请日： | 2015-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105568368A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 潘金平;王飞尧;张钱献 | 申请（专利权）人： | 杭州海纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/18 | 分类号： | C30B15/18;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 310052 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 保护热场部件减小损耗的热场及方法。本发明公开了一种直拉单晶硅生长的热场系统；包括设置在热场外壳内的加热器等；所述热场外壳的下方设置有导流孔，三瓣坩埚通过轴支撑在底盘上，三瓣坩埚的正上方设置导流筒，三瓣坩埚与热场外壳之间依次设置主保温内筒和主保温外筒；所述导流筒与热场外壳之间依次设置上保温内筒和上保温外筒；所述导流筒和上保温内筒以及上保温外筒之间的连接处设置上保温盖，在上保温内筒以及上保温外筒和主保温内筒以及主保温外筒之间的连接处设置主保温盖，在主保温内筒和主保温外筒的下方设置下保温盖；三瓣坩埚和主保温内筒之间设置加热器，加热器与三瓣坩埚以及加热器与主保温内筒之间分别设置导流通道。 | ||
| 搜索关键词： | 保护 部件 减小 损耗 方法 | ||
【主权项】：
一种直拉单晶硅生长的热场系统；其特征在于：包括设置在热场外壳内的加热器(3)、三瓣坩埚(2)、主保温内筒(6)、主保温外筒(7)、上保温内筒(9)、主保温盖(8)、上保温外筒(10)、上保温盖(11)、下保温盖(5)、导流筒(1)和底盘(4)；所述热场外壳的下方设置有导流孔，三瓣坩埚(2)通过轴支撑在底盘(4)上，三瓣坩埚(2)的正上方设置导流筒(1)，三瓣坩埚(2)与热场外壳之间依次设置主保温内筒(6)和主保温外筒(7)；所述导流筒(1)与热场外壳之间依次设置上保温内筒(9)和上保温外筒(10)；所述导流筒(1)和上保温内筒(9)以及上保温外筒(10)之间的连接处设置上保温盖(11)，在上保温内筒(9)以及上保温外筒(10)和主保温内筒(6)以及主保温外筒(7)之间的连接处设置主保温盖(8)，在主保温内筒(6)和主保温外筒(7)的下方设置下保温盖(5)；三瓣坩埚(2)和主保温内筒(6)之间设置加热器(3)，加热器(3)与三瓣坩埚(2)以及加热器(3)与主保温内筒(6)之间分别设置导流通道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州海纳半导体有限公司，未经杭州海纳半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510331146.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
