[发明专利]成膜装置和成膜方法有效
申请号: | 201510333848.0 | 申请日: | 2015-06-16 |
公开(公告)号: | CN105200393B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 矢部和雄;清水亮 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置和成膜方法,该成膜装置用于在形成于真空容器内的真空气氛中在载置在台上的基板的表面上层叠氧化物的分子层而形成薄膜,其中,该成膜装置包括:旋转机构;原料气体供给部;处理空间形成构件,其形成处理空间;气氛气体供给部;能量供给部,其用于通过向所述臭氧气氛供给能量来使所述臭氧强制地分解而产生氧的活性种,利用该活性种来使吸附在所述基板的表面上的原料氧化而获得所述氧化物;缓冲区域,其缓和所述臭氧的分解所导致的所述处理空间内的压力上升;以及划分机构,其用于在向所述处理空间供给所述气氛气体时将所述缓冲区域与该处理空间划分开,并在产生所述臭氧的分解时使所述缓冲区域与所述处理空间相连通。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,其用于在形成于真空容器内的真空气氛中在载置在台上的基板的表面上层叠氧化物的分子层而形成薄膜,其中,该成膜装置包括:旋转机构,其用于使该台相对于沿所述台的周向配置在所述台之上的第1区域和第2区域进行旋转,而使所述基板交替地重复位于所述第1区域和所述第2区域;原料气体供给部,其为了使原料吸附在基板上而将所述原料以气体的状态作为原料气体向所述第1区域供给;处理空间形成构件,其相对于该台进行升降,以使得在位于所述第2区域的基板的周围形成与所述第1区域隔离开的处理空间;气氛气体供给部,其用于供给气氛气体,该气氛气体用于在所述处理空间内形成具有引起链式分解反应的浓度以上的浓度的臭氧的臭氧气氛;能量供给部,其用于通过向所述臭氧气氛供给能量来使所述臭氧强制地分解而产生氧的活性种,利用该活性种来使吸附在所述基板的表面上的原料氧化而获得所述氧化物;缓冲区域,其以与所述处理空间相连接的方式设置,并向该缓冲区域供给非活性气体,以便缓和所述臭氧的分解所导致的所述处理空间内的压力上升;以及划分机构,其用于在向所述处理空间供给所述气氛气体时将所述缓冲区域与该处理空间划分开,并在产生所述臭氧的分解时使所述缓冲区域与所述处理空间相连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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