[发明专利]传感器结构及磁读头有效

专利信息
申请号: 201510334288.0 申请日: 2015-03-23
公开(公告)号: CN104934046B 公开(公告)日: 2019-02-15
发明(设计)人: Z·高;J·M·弗赖塔格;K·S·霍;C·H·曾;K·朱 申请(专利权)人: HGST荷兰公司
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127;G11B5/11
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 公开的实施例总地涉及磁记录头中的读头。读头利用以下传感器结构,该传感器结构具有:从介质面对的表面凹进的被钉扎磁结构;以及读取器间隙结构。读取器间隙结构具有:从介质面对的表面凹进且布置在被钉扎磁结构的上面的间隔层;部分地从介质面对的表面凹进且布置在间隔层的上面的凹进的第一自由层;延伸至介质面对的表面且布置在第一自由层的上面的第二自由层;以及延伸至介质面对的表面布置在第二自由层的顶上的盖层。被钉扎磁结构、间隔层和第一自由层具有公共面,该公共面在相对于介质面对的表面的一角度上。
搜索关键词: 传感器 结构 磁读头
【主权项】:
1.一种传感器结构,包括:从介质面对的表面凹进的被钉扎磁结构;以及读取器间隙结构,其包括:间隔层,其从所述介质面对的表面凹进且布置在所述被钉扎磁结构的上面,第一自由层,其至少部分地从所述介质面对的表面凹进且布置在所述间隔层的上面,第二自由层,其延伸至所述介质面对的表面且布置在所述第一自由层的上面;盖层,其延伸至所述介质面对的表面布置在所述第二自由层的顶上;其中所述被钉扎磁结构、所述间隔层和凹进的所述第一自由层的公共面被取向在相对于所述介质面对的表面的一角度上;前屏蔽,其布置在所述公共面和所述介质面对的表面之间;以及前隔离层,其布置在所述前屏蔽上且在所述公共面和所述介质面对的表面之间,其中所述第二自由层被布置在其上;以及后隔离层,该后隔离层形成在传感器结构的后表面与第一自由层、间隔层、第二自由层和盖层之间。
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