[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示器件有效
申请号: | 201510334949.X | 申请日: | 2015-06-16 |
公开(公告)号: | CN104900589B | 公开(公告)日: | 2017-11-10 |
发明(设计)人: | 李全虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L21/768;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板及其制作方法、显示器件。所述阵列基板包括多条信号线及其连通所述多条信号线的连通线,以提供高的阻容网络,提高对静电的吸收能力,由于只需制作一层连通线就可以实现静电保护,在阵列基板制程的大部分时间内,都能够进行静电保护。在所述连通线上形成每个绝缘层时,在对应所述连通线的断开处形成过孔,从而避免了对多个绝缘层进行的长时间干刻,减少了形成所述过孔的干刻工艺引入的静电。并形成保护层,所述连通线对应所述过孔所在区域的部分被所述保护层覆盖,用于保护所述连通线。在完成所有绝缘层的制作后,通过所述过孔断开所述连通线,从而断开所述多条信号线之间的连接。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示 器件 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:形成多条用于传输同一信号的信号线;形成用于电性连接所述多条信号线的连通线;在所述多条信号线上形成第一绝缘层,对所述第一绝缘层进行构图工艺,形成第一过孔;形成保护层,所述连通线对应所述第一过孔所在区域的部分被所述保护层覆盖,用于保护所述连通线;在所述第一绝缘层上形成至少一个第二绝缘层,形成每个所述第二绝缘层的步骤包括:对所述第二绝缘层进行构图工艺,形成第二过孔,所述第二过孔和第一过孔的位置对应;在完成所有第二绝缘层的制作之后,所述制作方法还包括:去除所述保护层对应所述第一过孔所在区域的部分;在所述第一过孔对应的位置断开所述连通线,从而断开所述多条信号线之间的电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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