[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括有机半导体层和源漏电极层，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，功函高于所述源漏电极层的功函。本发明提供的薄膜晶体管中，功函较高的金属氧化物绝缘层能够产生界面偶极势垒以降低源漏电极中的载流子进入到有机半导体层中的难度，从而能够减小源漏电极层与半导体层之间的接触电阻，提高薄膜晶体管的电学性能。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：有机半导体层和源漏电极层，其特征在于，还包括金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层设置在所述有机半导体层和所述源漏电极层之间，且所述金属氧化物绝缘层的功函高于所述源漏电极层的功函；所述金属氧化物绝缘层设置在所述源漏电极层上并覆盖在整个基底的上方；还包括过渡金属层，所述过渡金属层设置在所述源漏电极层和所述金属氧化物绝缘层之间，功函高于所述源漏电极层的功函；所述源漏电极层包括源极和漏极，所述源极和漏极的各个侧面上形成有所述过渡金属层，所述过渡金属层的厚度为所述源漏电极层的厚度的1/2‑1/10；所述金属氧化物绝缘层的厚度在0.1nm‑10nm之间。