[发明专利]一种LED制程中的背划方法及其形成结构有效
| 申请号： | 201510335543.3 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105023977B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 张家宏;陈功;周瑜;韦静静;黄静 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/268;H01L21/78;H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出的一种LED制程中的背划方法及其形成结构，即先利用激光聚焦在具有多个LED单元的衬底背面形成多个杂质释放孔，再在与多个杂质释放孔对应位置，利用激光聚焦在所述衬底内部，形成多个隐形切割爆点，使所述杂质释放孔和所述隐形切割爆点连通，以将隐形切割爆点形成过程中产生的杂质通过杂质释放孔排出衬底内部，避免杂质附着于隐形切割爆点侧壁而降低LED单元的外量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 中的 方法 及其 形成 结构 | ||
【主权项】：
一种LED制程中的背划方法，其特征在于：包括如下步骤：1）提供一衬底，在所述衬底上表面生长外延层并制作多个LED单元；2）利用激光聚焦在所述衬底的背面表面，形成多个杂质释放孔；3）在与所述多个杂质释放孔对应位置，利用激光聚焦在所述衬底内部，形成多个隐形切割爆点，使所述杂质释放孔和所述隐形切割爆点连通，以将隐形切割爆点形成过程中产生的杂质通过杂质释放孔排出衬底内部，避免杂质附着于隐形切割爆点侧壁而降低LED单元的外量子效率。
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