[发明专利]隧穿压力传感器有效
| 申请号： | 201510335552.2 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105006520B | 公开（公告）日： | 2017-08-11 |
| 发明（设计）人： | 朱平;张国军;吕晓静;李俊龙;高瑜宏 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;B81B7/02;B82Y15/00 |
| 代理公司： | 太原科卫专利事务所(普通合伙)14100 | 代理人： | 朱源,张宏 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种隧穿压力传感器，它的单元传感器采用双势垒单势阱系统，势阱层采用阱结构，由两端的六方氮化硼和夹在中间的Be离子掺杂氮化硼组成；第一势垒层和第二势垒层为石墨烯薄膜层并分别设有金属电极；氧化硅基底顶部长有六方氮化硼衬底，第一势垒层和第二势垒层长在六方氮化硼衬底上表面，氧化硅基底底部设硅电极；单元传感器以N×N的方式排列于六方氮化硼衬底表面；在第一势垒层和第二势垒层之间施加偏置电压Vb=0.3‑0.5V，在第二层势垒和硅电极之间施加栅极电压Vg=14‑16V。相比于其他类型的压力传感器，本发明所设计的隧穿压力传感器的稳定性更好，灵敏度比硅制力敏薄膜传感器要高近一个数量级。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种隧穿压力传感器，包括单元传感器、氧化硅基底（2），其特征在于：单元传感器采用双势垒单势阱系统，势阱层夹在上部的第一势垒层（5）和下部的第二势垒层（10）中间；势阱层采用阱结构，由两端的六方氮化硼（6、8）和夹在中间的Be离子掺杂氮化硼（7）组成；第一势垒层（5）和第二势垒层（10）为石墨烯薄膜层并分别设有金属电极（4、9）；氧化硅基底（2）顶部长有六方氮化硼衬底（3），第一势垒层（5）和第二势垒层（10）长在六方氮化硼衬底（3）上表面，氧化硅基底（2）底部设硅电极（1）；单元传感器以N×N的方式排列于氧化硅基底（2）表面；在第一势垒层（5）和第二势垒层（10）之间施加偏置电压Vb=0.3‑0.5V，在第二层势垒（10）和硅电极（1）之间施加栅极电压Vg=14‑16V。
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