[发明专利]一种硅片分布状态光电图像组合扫描方法及装置有效
申请号: | 201510337586.5 | 申请日: | 2015-06-17 |
公开(公告)号: | CN105097591B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 徐冬;慕晓航 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅片分布状态光电图像组合扫描的方法及装置,其在位于硅片承载器圆周侧边的机械手上U形端部的相对位置,设置有两个工作在自接收和/或互接收模式的光电传感器,机械手为该光电传感器提供水平和垂直和/或定位的移动,执行硅片凸片的异常状态预扫描和循环扫描指令,以及图像传感单元定位于承载器侧边周围,并沿硅片的平行方向,从上至下依次拍摄硅片组中每片硅片的侧边平面图像,判断相应硅片是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态;且本发明还在承载器的周围布设多个扫描检测点,可以快速准确检测硅片半导体设备承载区域内的硅片分布状态,很好地避免了机械手运动造成硅片及设备损伤,且进一步地提高了检测精度。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅片 分布 状态 光电 图像 组合 扫描 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种硅片分布状态光电图像组合扫描方法,其特征在于,在位于硅片承载器圆周侧边的机械手上,设置有光电扫描单元和图像传感单元;所述光电扫描单元包括两个光电传感器,所述两个光电传感器分别位于所述机械手的U形端部相对位置,并随机械手垂直和水平运动,所述方法包括以下步骤:步骤S1、设定机械手运动扫描初始化参数并执行初始化;其中,所述运动扫描初始化参数包括机械手水平和/或垂直扫描运动速度,硅片的间隔距离、每一次机械手水平步进距离、水平起始点位置及终止点位置和上/下垂直起始点位置及终止点位置;步骤S2、所述两个光电传感器设置在互接收模式和/或自接收模式,执行硅片凸片的异常状态预扫描和循环扫描指令;其中,预扫描指令用于识别硅片组中是否有硅片凸出和凸出最多的硅片,循环扫描指令用于在预扫描结果显示有硅片凸出时,识别整个硅片组中硅片的凸出异常状态分布;步骤S3:所述图像传感单元定位于所述承载器侧边周围,且将对应第一个放置硅片的位置作为垂直和水平起始点位置;所述图像传感单元沿硅片的平行方向,从上至下依次拍摄所述硅片组中每片硅片的侧边平面图像;步骤S4:用图像特征识别算法,在图像标定位置区间分布区域,从每个所述侧边平面图像中提取识别对象的放置状态特征,判断相应硅片是否存在斜片、叠片和/或空片的异常状态;如果没有异常状态,执行步骤S6;否则,执行步骤S5;步骤S5:报警并等待人工处置或者按规定处置;步骤S6:结束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造