[发明专利]一种SERS基底及其制备方法在审
| 申请号： | 201510338662.4 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104931480A | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 毛海央;唐力程 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;江怀勤 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SERS基底的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体直接对聚合物层进行轰击，以形成柱状纳米结构；覆盖金属层。该方法形成的SERS基底，可以有效增强拉曼散射信号，工艺简单且可控性强，适用于大规模的商业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sers 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SERS基底的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成聚合物层；采用等离子体对聚合物层进行轰击，以形成柱状纳米结构；覆盖金属层。
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