[发明专利]花状亚微米银半球阵列及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201510341048.3 | 申请日： | 2015-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104988541A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 唐海宾;孟国文;李中波;朱储红;黄竹林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C25C5/02 | 分类号： | C25C5/02;G01N21/65;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人： | 任岗生 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种花状亚微米银半球阵列及其制备方法和用途。阵列为覆于热熔胶衬底的银膜上依次置有按六方有序排列的银六方底边锥台和银半球，银膜、银六方底边锥台和银半球的表面修饰有交叉站立的银纳米片；方法为使用二次阳极氧化法得通孔氧化铝模板后，于其一面溅射银膜得其一面覆有银膜、银膜与孔口之间为银六方底边锥台、孔中为银半球的氧化铝模板，接着，先于银膜的表面涂覆热熔胶，待固化后置于碱溶液中腐蚀掉氧化铝模板，得其上的银膜上依次置有按六方有序排列的银六方底边锥台和银半球的热熔胶衬底，再将其置于银电解液中电沉积制得目的产物。它可作为表面增强拉曼散射的活性基底，使用激光拉曼光谱仪测量其上附着的R6G或PATP或PCB-77的含量。 | ||
| 搜索关键词： | 花状亚 微米 半球 阵列 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种花状亚微米银半球阵列，包括覆于热熔胶衬底的银膜上依次置有按六方有序排列的银六方底边锥台和银半球，其特征在于：所述银膜、银六方底边锥台和银半球的表面修饰有交叉站立的银纳米片；所述银六方底边锥台的高为5～10nm，相邻银六方底边锥台的底边间置有宽度为10～20nm的间隙；所述银半球的球直径为200～300nm，相邻银半球间的中心间矩为450～550nm；所述银纳米片的片长为90～180、片高为30～160nm、片厚为16～20nm；所述银半球和其表面修饰的银纳米片形成的球状花的花直径为360～470nm，相邻球状花之间的间距为30～100nm。
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