[发明专利]一种卡非佐米晶型A及其制备方法有效
申请号: | 201510344488.4 | 申请日: | 2015-06-19 |
公开(公告)号: | CN104961799B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 林蒙;张小成;周昌兵;王学瑞;左小勇;樊斌 | 申请(专利权)人: | 重庆医药工业研究院有限责任公司 |
主分类号: | C07K7/06 | 分类号: | C07K7/06;C07K1/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 400061 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种卡非佐米的新晶型A,该晶型的X‑射线粉末衍射图谱在2θ值为6.4±0.2°、12.5±0.2°、12.7±0.2°、18.8±0.2°、19.7±0.2°、19.9±0.2°、25.4±0.2°的位置有特征衍射峰,该晶型A物理、化学性质稳定。 | ||
搜索关键词: | 一种 卡非佐米晶型 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种卡非佐米晶型A,其特征在于X‑射线粉末衍射图谱在2θ值为6.4±0.2°、12.5±0.2°、12.7±0.2°、18.8±0.2°、19.7±0.2°、19.9±0.2°、25.4±0.2°的位置有特征衍射峰。
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