[发明专利]SOI衬底的制造方法及SOI衬底

摘要

本发明涉及一种SOI衬底的制造方法及SOI衬底。本发明的目的之一在于抑制当贴合玻璃衬底和单晶半导体衬底来制造SOI衬底时产生的硅层表面的粗糙。或者，本发明的目的之一在于提供一种抑制上述粗糙并提高成品率的半导体装置。通过对接合衬底照射加速了的离子来在该接合衬底中形成脆化区，在接合衬底或支撑衬底的表面上形成绝缘层，隔着绝缘层使接合衬底和支撑衬底贴合并在接合衬底和支撑衬底的一部分中形成不贴合的区域，通过进行热处理，在脆化区中分离接合衬底来在支撑衬底上形成半导体层。

主权项

一种绝缘体上硅衬底，包括：衬底，所述衬底的上表面包括第一区域、第二区域和第三区域，其中第一区域被第二区域包围，而第二区域被第三区域包围；覆盖第二区域的绝缘层；以及覆盖所述绝缘层的单晶半导体层，其中，所述衬底的上表面在第一区域和第三区域中被暴露，以及其中，与第二区域的中心相比，第一区域更接近于第二区域与第三区域之间的边界。