[发明专利]借助表面发射半导体装置的数字热注入在审
申请号: | 201510345447.7 | 申请日: | 2010-03-05 |
公开(公告)号: | CN104873112A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 唐·W·科克伦;本杰明·D·约翰逊;乔纳森·M·卡茨;马克·W·穆尔;诺埃尔·E·摩根;登伍德·F·罗斯 | 申请(专利权)人: | 派拉斯科技术公司 |
主分类号: | A47J37/00 | 分类号: | A47J37/00;H01S5/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及借助表面发射半导体装置的数字热注入。本发明提供一种用于借助并入例如表面发射装置的特殊类别的半导体激光器而用数字方式将热注入到宽广范围的产品中的方法及系统。此技术涉及一种实践直接注入合意地匹配特定材料在指定波长下的吸收规格的窄带辐射能量的现有技术的更具体、经济及有利的方式。 | ||
搜索关键词: | 借助 表面 发射 半导体 装置 数字 注入 | ||
【主权项】:
一种用于将辐射能量不接触注入到目标中的系统,所述系统包括:基于半导体的窄带辐射发射装置元件的阵列,所述阵列操作以在匹配所述目标的所期望吸收特性的辐射热输出窄波长带下发射辐射;所述窄带辐射发射装置为安装式表面发射激光二极管装置;所述阵列安装到包括电路板及冷却衬底中的至少一者的安装实体,以便相对于所述安装实体的最大平面大体正交地引导来自所述窄带辐射发射装置的辐照型式的中心轴,其中每一激光二极管装置内部的激光发射沿平行于所述装置的安装平面的方向发生,而所述输出辐照型式的所述中心轴大体正交于所述安装平面;安装布置,其经配置以定位所述阵列,以便将来自所述阵列的辐照引导到辐照区中的所述目标,且以便在考虑所述激光二极管装置的组合的辐照输出型式的情况下确定所述阵列中的所述表面发射激光二极管装置的相对几何位置以提供所述目标的辐照;及操作以向所述窄带辐射发射装置供应电流的构件。
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