[发明专利]发光器件和具有该发光器件的发光设备有效
申请号: | 201510345971.4 | 申请日: | 2012-05-04 |
公开(公告)号: | CN105140380B | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 黄德起;韩伶妵;崔熙石;李珠源;姜弼根;崔锡范 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 周燕;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供发光器件和具有该发光器件的发光设备。可以提供一种发光器件,其包括衬底、发光结构、在第一导电半导体层下的第一电极、在第二导电半导体层下的反射电极层、在反射电极层下的第二电极、以及在第一和第二电极周围的在第一导电半导体层和反射电极层下的支撑构件。可以在第一电极下设置第一连接电极。在支撑构件中设置第一连接电极的至少一部分。可以在第二电极下设置第二连接电极。可以在支撑构件中设置第二连接电极的至少一部分。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 具有 设备 | ||
【主权项】:
1.一种发光器件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间的有源层;在所述发光结构上的透射衬底;在所述第一导电半导体层的第一区域下面的第一电极,在所述第二导电半导体层下面的反射电极层;在所述反射电极层下面的第二电极;在所述第一电极下面的第一连接电极;在所述第二电极下面的第二连接电极;在所述反射电极层和所述第一导电半导体层的第一区域下面的支撑构件,其中,所述支撑构件包括在所述第一电极周围的第一支撑构件、在所述第二电极周围的第二支撑构件以及在所述第一支撑构件和所述第二支撑构件之间提供的狭缝,其中,所述支撑构件的下边缘在所述发光结构的横向侧上是直的,其中,所述支撑构件的横向侧与所述发光结构的所述横向侧对齐在同一平面上,以及其中,光朝向所述透射衬底的顶表面发射并且通过所述透射衬底的横向侧和所述发光结构的所述横向侧发射,其中,所述第一支撑构件通过所述狭缝与所述第二支撑构件物理地分开,其中,所述第一支撑构件和所述第二支撑构件中的每个由绝缘材料形成,其中,所述第一支撑构件和所述第二支撑构件的绝缘材料具有热扩散体,其中,所述第一支撑构件和所述第二支撑构件的下表面与所述第一连接电极的下表面和所述第二连接电极的下表面对齐在同一平面上,其中,所述第一支撑构件和所述第二支撑构件不与所述发光结构和所述透射衬底接触,以及其中,所述第一支撑构件具有大于所述第二连接电极的厚度的厚度。
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