[发明专利]一种可靠补偿MOS管阈值电压变化的电路及方法

摘要

本发明公开一种可靠补偿MOS管阈值电压变化的电路及方法，通过在现有补偿电路的基础上增加反馈电压生成电路U1、基准参考电压生成电路U2、第三比较器U3、第四比较器U4、逻辑控制电路U5和钳位电路U6；在衬底电压Vneg小于第三参考电压Vref3时将负压电荷泵关闭，以避免出现MOS管栅极和衬底电压差过大而致损坏MOS管寿命的问题；如果衬底电压Vneg过高大于第四参考电压Vref4时，钳位电路工作将衬底电压Vneg强制钳位到零电平，以避免出现PN结导通而漏电的问题。本发明有效的解决现有电路在高温或较快工艺条件下存在损坏MOS管寿命的问题和在低温或较慢工艺条件下存在PN结漏电的问题。

主权项

一种可靠补偿MOS管阈值电压变化的电路，其特征在于，包括MOS管MN1、参考电压生成电路、第一比较器、第二比较器、负压电压泵、上拉电路、反馈电压生成电路U1、基准参考电压生成电路U2、第三比较器U3、第四比较器U4、逻辑控制电路U5和钳位电路U6；参考电压生成电路，用于产生第一参考电压Vref1和第二参考电压Vref2，且Vref2>Vref1；第一比较器，用于将MOS管MN1的产生的栅端电压Vg与第一参考电压Vref1比较；第二比较器，用于将MOS管MN1的产生的栅端电压Vg与第二参考电压Vref2比较；反馈电压生成电路U1，用于产生衬底电压的反馈信号vpw_fbk；基准参考电压生成电路U2：用于产生第四参考电压Vref4；第三比较器U3：用于将衬底电压的反馈信号vpw_fbk与第三参考电压Vref3进行比较；第四比较器U4：用于将衬底电压vneg与第四参考电压Vref4进行比较；逻辑控制电路U5：用于将第一比较器、第二比较器、第三比较器和第四比较器的输出结果进行处理，输出电荷泵使能信号、上拉电路使能信号和钳位电路使能信号；负压电荷泵，用于降低衬底电压Vneg；上拉电路，用于升高衬底电压Vneg；钳位电路U6：用于将衬底电压vneg强制钳位到零电平。