[发明专利]一种超薄的MOSFET封装结构及封装方法在审
| 申请号： | 201510346850.1 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104979222A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 曹凯;谢皆雷;吴超;罗立辉 | 申请（专利权）人： | 宁波芯健半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨;孙健 |
| 地址： | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超薄的MOSFET封装结构，包括MOSFET晶圆，所述MOSFET晶圆的电极面上设有导通部分，所述MOSFET晶圆的侧壁呈沟槽结构；所述导通部分和沟槽结构的侧面铺有导电线路层；所述MOSFET晶圆的电极面上除导通部分外铺有绝缘保护层；所述导通部分的导电线路层上设有凸点；所述MOSFET晶圆的背面铺设有背面导电层。本发明还涉及上述结构的封装方法。本发明的封装结构工艺简单，可进行晶圆级加工，效率高，周期短，封装的整体厚度可以降低到很薄，封装的体积比较小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 mosfet 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄的MOSFET封装结构，包括MOSFET晶圆，其特征在于，所述MOSFET晶圆的电极面上设有导通部分，所述MOSFET晶圆的侧壁呈沟槽结构；所述导通部分和沟槽结构的侧面铺有导电线路层；所述MOSFET晶圆的电极面上除导通部分外铺有绝缘保护层；所述导通部分的导电线路层上设有凸点；所述MOSFET晶圆的背面铺设有背面导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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