[发明专利]一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件有效
申请号: | 201510348259.X | 申请日: | 2015-06-23 |
公开(公告)号: | CN105161626B | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 赵灵智;汪双凤;梁兵;蒋翔;陈建国 | 申请(专利权)人: | 广东茵坦斯能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人: | 何展提 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海狮山*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件,包括纳米锡化物薄膜掺杂的有机层,所述纳米锡化物薄膜掺杂的有机层为电子传输层、特定掺杂浓度的n型纳米锡化物层、有机发光层、特定掺杂浓度的p型纳米锡化物层组成。通过利用纳米锡化物薄膜掺杂的新型有机发光结构来获得高光电效率、高驱动电压稳定性和低器件初始驱动电压的有机发光器件;此外新型高折射率的光学耦合输出层的加入既避免了阳极与有机层的直接接触,降低了界面的注入势垒,同时又提高了材料的载流子迁移率以及阳极材料的功函数,从而获得了发光效率更高、稳定性更好的有机发光器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 纳米 锡化物 有机 发光 器件 | ||
【主权项】:
一种掺杂的纳米锡化物有机发光器件,包括高纯度单晶衬底(1)、单晶衬底(1)上蒸镀的第一层反射电极(21)、第一层反射电极(21)上蒸镀的第二层反射电极(22)、在第二层反射电极(22)上所形成的电子传输层(3)、在电子传输层(3)上蒸镀的n型纳米锡化物层(4)、n型纳米锡化物层(4)上形成的有机发光层(5)、有机发光层(5)上蒸镀的控制电子区域的p型纳米锡化物层(6)、在p型纳米锡化物层(6)上形成的空穴传输层(7)、在空穴传输层(7)上形成的光学耦合输出层(8)、在光学耦合输出层(8)上形成的透明的阳极层(9),其特征在于,所述n型纳米锡化物层(4)为特定掺杂浓度的n型纳米锡化物薄膜,p型纳米锡化物层(6)为特定掺杂浓度的p型纳米锡化物薄膜;电子传输层(3)、n型纳米锡化物层(4)、有机发光层(5)和p型纳米锡化物层(6)组成纳米锡化物层掺杂的有机层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东茵坦斯能源科技有限公司,未经广东茵坦斯能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510348259.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择