[发明专利]激光退火装置和激光退火方法有效
| 申请号： | 201510348729.2 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN104979247B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 姚江波 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光退火装置和激光退火方法。该退火装置包括用于承载透明基板的载台，在透明基板上设置有非晶硅层，在载台内设置有控制非晶硅层的温度的温控构件，激光器，其能提供透射透明基板而照射到温控构件上的激光。温控构件在激光的照射下将非晶硅层划分成多个区域，并且多个区域中相邻的区域之间的温度彼此不同。通过使用这种激光退火装置，在将非晶硅熔融再结晶时，能够控制再结晶的方向。这样可以使所形成的多晶硅层的晶粒较大、晶界较少，多晶硅半导体层的电子迁移率也因此而提高。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种激光退火装置，包括：用于承载透明基板的载台，在所述透明基板上设置有非晶硅层，在所述载台内设置有控制所述非晶硅层的温度的温控构件，激光器，其能提供透射所述透明基板而照射到所述温控构件上的激光，其中，所述温控构件在所述激光的照射下将所述非晶硅层划分成多个区域，并且所述多个区域中相邻的区域之间的温度彼此不同，所述温控构件为设置在所述载台内的光罩，所述光罩以能更换的方式设置在所述载台内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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